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NXP Semiconductors
Quadruple ESD transient voltage
suppressor
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Product data sheet
BZA800A-series
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
I Z
I F
working current
continuous forward current
T amb = 25 ° C
T amb = 25 ° C
?
?
note 1
200
mA
mA
I FSM
non-repetitive peak forward current t p = 1 ms; square pulse
?
3.75
A
P tot
total power dissipation
T amb = 25 ° C
?
335
mW
P ZSM
non repetitive peak reverse power
dissipation:
square pulse; t p = 1 ms; see Fig.3
BZA856A, BZA862A, BZA868A,
BZA820A
?
?
24
17
W
W
T stg
T j
storage temperature
junction temperature
? 65
?
+150
150
° C
° C
Note
1. DC working current limited by P tot(max) .
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R th j-a
PARAMETER
thermal resistance from junction to ambient
CONDITIONS
all diodes loaded
VALUE
370
UNIT
K/W
2000 Sep 25
3
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